晶圆片红外线均匀加热装置：优化温度分布，提升产品质量！

晶圆，也被称为半导体晶圆或硅晶圆，是在半导体工业中广泛应用的基础材料之一。晶圆加热是半导体制造过程中的一个关键步骤，其目的是在制备集成电路和其他半导体器件时对晶圆进行必要的热处理。这个过程中，晶圆通常需要被均匀加热到特定的温度，以促使或优化后续的工艺步骤。

晶圆片加热过程中要求晶圆表面的温度分布尽可能均匀，以确保整个晶圆上的器件性能一致。不均匀的温度分布可能导致器件性能差异，影响产品的质量。红外线加热具有高效、均匀、可控和非接触的特点，适用于各种晶圆片的加热需求。因此客户选用了我们的红外线辐射加热器（LONGPRO红外线加热数据库以及光学运算，优化了热源灯丝内部发光体结构、反光板结构以及阵列布灯，使被加热表面接受均值的红线辐射能量，有效降低了温度不均带来的不良工艺质量问题）.

于是我们根据客户需求量身定制了加热方案：
1、优化灯丝热能分布结构：我们通过改进灯丝的热能分布结构，实现了类矩形加热，相较于传统的双尖形加热方式，有效减少了中间区域的热聚集，避免了两端温度不均匀的问题。
2、LONGPRO数据库+光学运算：利用LONGPRO数据库和光学运算，我们精确计算出阵列布灯的距离与高度比例，以确保晶圆表面均匀分布的红外辐射能量，进一步提升加热效果。
3、背面弧形光学反光曲率设计：我们采用背面弧形光学反光曲率设计，对辐照场进行修正，进一步提高了整个加热场的均匀性，避免了不均匀的辐射热场现象。
4、精确的温度控制系统：我们配备了先进的电控系统和非接触式测温探头，实现了闭环控制。这意味着我们能够实时监测晶圆表面的温度，快速响应并调整加热功率，以减少温度过冲或不足，从而有效预防可能导致工艺问题的温度波动。
方案优势
红外线辐照均匀，精度误差：≤±5%

通过这一系列的定制化优化，我们确保了晶圆在加热过程中达到所需的温度，并在整个加热周期内保持了高度的稳定性，从而提高了加热效率和工艺可控性。